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71124S12YG8

CMOSStaticRAM1Meg(128Kx8-Bit)RevolutionaryPinout

Features ◆128Kx8advancedhigh-speedCMOSstaticRAM ◆JEDECrevolutionarypinout(centerpower/GND)for reducednoise. ◆Equalaccessandcycletimes –Commercial:12/15/20ns –Industrial:15/20ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionalinputsandoutputsdirectly

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
71124S12YG8

封装/外壳:32-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 包装:卷带(TR) 描述:IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

71124S12YG8产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    71124S12YG8

  • 功能描述

    静态随机存取存储器 128Kx8 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM

  • RoHS

  • 制造商

    Cypress Semiconductor

  • 存储容量

    16 Mbit

  • 组织

    1 M x 16

  • 访问时间

    55 ns

  • 电源电压-最大

    3.6 V

  • 电源电压-最小

    2.2 V

  • 最大工作电流

    22 uA

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 最小工作温度

    - 40 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    TSOP-48

  • 封装

    Tray

更新时间:2025-8-2 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS(瑞萨)/IDT
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