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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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70V658S10BFG8 | HIGH-SPEED 3.3V 128/64/32K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM Features ◆ True Dual-Port memory cells which allow simultaneous access of the same memory location ◆ High-speed access – Commercial: 10/12/15ns (max.) – Industrial: 12ns (max.) ◆ Dual chip enables allow for depth expansion without external logic ◆ IDT70V659/58/57 easily expands data bus wi | RENESAS 瑞萨 |   | |
70V658S10BFG8 | HIGH-SPEED 3.3V 128/64/32K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM 文件：234.54 Kbytes Page：24 Pages | IDT | | |
70V658S10BFG8 | 封装/外壳：208-LFBGA 包装：卷带（TR） 描述：IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208FPBGA 集成电路（IC） 存储器 | ETC 知名厂家 | ETC | |
更新时间：2025-11-18 17:07:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IDT, Integrated Device Technol |
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