位置：首页 > IC中文资料 > 70V658S10BC8
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
70V658S10BC8 | HIGH-SPEED 3.3V 128/64/32K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM Features ◆ True Dual-Port memory cells which allow simultaneous access of the same memory location ◆ High-speed access – Commercial: 10/12/15ns (max.) – Industrial: 12ns (max.) ◆ Dual chip enables allow for depth expansion without external logic ◆ IDT70V659/58/57 easily expands data bus wi | RENESAS 瑞萨 |   | |
70V658S10BC8 | 封装/外壳：256-LBGA 包装：卷带（TR） 描述：IC SRAM 2MBIT PARALLEL 256CABGA 集成电路（IC） 存储器 | ETC 知名厂家 | ETC | |
更新时间：2025-8-10 23:00:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS(瑞萨)/IDT |
24+ |
CABGA256(17x17) |
7350 |
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Renesas |
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RENESAS(瑞萨电子) |
22+ |
NA |
500000 |
万三科技,秉承原装,购芯无忧 |
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RENESAS(瑞萨)/IDT |
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CABGA-256(17x17) |
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IDT, Integrated Device Technol |
21+ |
165-TBGA |
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Renesas |
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IDT, Integrated Device Technol |
24+ |
256-CABGA(17x17) |
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一级代理/放心采购 |
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Renesas Electronics America In |
25+ |
256-LBGA |
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IDT |
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