位置：首页 > IC中文资料 > 70V3599S133DRI
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
70V3599S133DRI | 封装/外壳：208-BFQFP 包装：托盘 描述：IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP 集成电路（IC） 存储器 | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |  |   |
HIGH-SPEED3.3V128/64Kx36SYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3VOR2.5VINTERFACE Features: ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speeddataaccess –Commercial:3.6ns(166MHz)/4.2ns(133MHz)(max.) –Industrial:4.2ns(133MHz)(max.) ◆SelectablePipelinedorFlow-Throughoutputmode ◆Counterenableandrepeat | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | | |
HIGH-SPEED3.3V128/64Kx36SYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM 文件：246.24 Kbytes Page：23 Pages | IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司 |  | | |
HIGH-SPEED3.3VSYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM 文件：271 Kbytes Page：23 Pages | IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司 | | | |
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HIGH-SPEED3.3V128/64Kx36SYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM 文件：246.24 Kbytes Page：23 Pages | IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司 | | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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RENESAS(瑞萨)/IDT |
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CABGA-256(17x17) |
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