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70V28L20PFGI8

HIGH-SPEED3.3V64Kx16DUAL-PORTSTATICRAM

Features ◆TrueDual-Portedmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:15/20ns(max.) –Industrial:20ns(max.) ◆Low-poweroperation –IDT70V28L Active:440mW(typ.) Standby:660μW(typ.) ◆Dualchipenablesallowfordepth

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

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70V28L20PFGI8

封装/外壳:100-LQFP 包装:管件 描述:IC SRAM 1MBIT PARALLEL 100TQFP 集成电路(IC) 存储器

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IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

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更新时间:2024-5-27 18:30:00
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