位置:首页 > IC中文资料第10537页 > 4PS03012S43G30699
型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
---|---|---|---|---|
Infineon | ||||
Infineon Technologies | ||||
Infineon Technologies | ||||
Infineon Technologies | ||||
Infineon Technologies | ||||
Infineon Technologies | ||||
Infineon Technologies | ||||
Infineon Technologies |
4PS03012S43G30699产品属性
- 类型
描述
- 型号
4PS03012S43G30699
- 功能描述
IGBT 模块
- RoHS
否
- 制造商
Infineon Technologies
- 产品
IGBT Silicon Modules
- 配置
Dual 集电极—发射极最大电压
- VCEO
600 V
- 集电极—射极饱和电压
1.95 V 在25
- C的连续集电极电流
230 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
445 W
- 最大工作温度
+ 125 C
- 封装/箱体
34MM
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
JST |
2332+ |
129991 |
一级代理,原装正品! |
||||
JST |
22+ |
NA |
7000 |
仓库现货,终端可送样品 |
|||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
8000 |
专注配单,只做原装进口现货 |
|||
JST |
2022 |
NA |
60000 |
正规渠道,只有原装! |
|||
UNITED |
15+ROHS |
DIP |
98500 |
一级质量保证长期稳定提供货优价美 |
|||
JST |
23+ |
塑壳 |
5864 |
原装原标原盒 给价就出 全网最低 |
|||
JST/日压 |
22+ |
原厂原封 |
12315 |
只做原装现货 提供一站式配套供货 中利达 |
|||
Infineon |
1931+ |
N/A |
493 |
加我qq或微信,了解更多详细信息,体验一站式购物 |
|||
Infineon |
22+ |
NA |
493 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
|||
JST |
2021+ |
1000 |
只做原装,可提供样品 |
4PS03012S43G30699规格书下载地址
4PS03012S43G30699参数引脚图相关
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- 555
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- 5369
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- 500t
- 5000
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- 4RS201M
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- 4RS106M
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