型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
4N27SVM

封装/外壳:6-SMD,鸥翼 包装:卷带(TR) 描述:OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6SMD 隔离器 光隔离器 - 晶体管,光电输出

ONSEMI

安森美半导体

6-Pin DIP Optoisolators Transistor Output

The4N25/A, 4N26, 4N27 and 4N28 devices consist of a gallium arsenide infraredemitting diode optically coupled to amonolithic silicon phototransistor detector. • Most Economical Optoisolator Choice for Medium Speed, Switching Applications • Meets or Exceeds All JEDEC Registered Specific

Motorola

摩托罗拉

GENERAL PURPOSE 6-PIN PHOTOTRANSISTOR OPTOCOUPLERS

DESCRIPTION The general purpose optocouplers consist of a gallium arsenide infrared emitting diode driving a silicon phototransistor in a 6-pin dual in-line package. FEATURES • Also available in white package by specifying -M suffix, eg. 4N25-M • UL recognized (File # E90700) • VD

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

GENERAL PURPOSE 6-PIN PHOTOTRANSISTOR OPTOCOUPLERS

文件:210.4 Kbytes Page:15 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

COMPATIBLE WITH STANDARD TTL INTEGRATED CIRCUITS

文件:151.33 Kbytes Page:4 Pages

TI

德州仪器

GAAS INFRARED EMITTING DIODE

文件:610.23 Kbytes Page:5 Pages

QT

4N27SVM产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    4N27SVM

  • 功能描述

    晶体管输出光电耦合器 Optocoupler Phototransistor

  • RoHS

  • 制造商

    Vishay Semiconductors

  • 输入类型

    DC

  • 最大集电极/发射极电压

    70 V

  • 最大集电极/发射极饱和电压

    0.4 V

  • 绝缘电压

    5300 Vrms

  • 电流传递比

    100 % to 200 %

  • 最大正向二极管电压

    1.65 V

  • 最大输入二极管电流

    60 mA

  • 最大集电极电流

    100 mA

  • 最大功率耗散

    100 mW

  • 最大工作温度

    + 110 C

  • 最小工作温度

    - 55 C

  • 封装/箱体

    DIP-4

  • 封装

    Bulk

更新时间:2025-8-18 20:03:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Fairchi
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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全新原装正品支持含税
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专注配单,只做原装进口现货
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23+
SOP6
7000
Fairchi
21+
DIP6
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原装现货假一赔十

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