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4LNK60Z

Power MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 3.3A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) -RDS(on) = 2.7Ω(Max)@VGS= 10V APPLICATION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 3.3A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) -RDS(on) = 2.7Ω(Max)@VGS= 10V APPLICATION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

N-channel 600 V, 2.2 廓, 3.3 A, TO-220FP, DPAK Zener-protected SuperMESH??Power MOSFET

文件:200.79 Kbytes Page:11 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

Power MOSFET

文件:1.07817 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

更新时间:2025-9-25 11:19:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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