| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
N and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The 4611 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. General Features ● N-Channel VDS = 60V,ID =6.3A RDS(ON) | TUOFENG 拓锋半导体 |   | ||
High Q, high self-resonant frequency Special Features • High Q, high self-resonant frequency • High voltage application • Single layer or 3-pi universal wound • Low cost • Varnish coated • Operating temperature: phenolic -55 to +125°C iron & ferrite -55 to +105°C • Current to cause 35°C maximum temperature rise | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | | ||
VHB?줥apes 文件：641.8 Kbytes Page：10 Pages | 3M | | ||
Relampable Indicator Light 文件：92.43 Kbytes Page：1 Pages | VCC Visual Communications Company | | ||
Networks 文件：61.83 Kbytes Page：1 Pages | Bourns 伯恩斯 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIR-RITE |
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标准封装 |
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4611FL规格书下载地址
4611FL参数引脚图相关
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深圳市大唐盛世半导体有限公司 手 机：17727572380 。 电 话：0755-83226739 Q Q:626839837。 微信号：15096137729。
2019-11-13
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