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262144X1-BITDYNAMICNMOSRAM

Description TheμPD41256isa262,144-wordby1-bitdynamicRAMdesignedtooperatefromasingle+5-voltpowersupplyandfabricatedwithadoublepolylayer,N-channel,silicon-gateprocessforhighdensity,highperformance,anshighreliability.

NECRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

NEC
更新时间:2024-6-16 14:15:02
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