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Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET

Features • Low noise figure. NF = 2.3 dB Typ. at f = 900 MHz • High gain. PG = 19.3 dB Typ. at f = 900 MHz Application UHF RF amplifier

HITACHIHitachi Semiconductor

日立日立公司

更新时间:2026-7-30 22:30:01
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