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3SK263-5-TG-E价格
参考价格:¥1.0915
型号:3SK263-5-TG-E 品牌:ON 备注:这里有3SK263-5-TG-E多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,3SK263-5-TG-E批发/采购报价,3SK263-5-TG-E行情走势销售排行榜,3SK263-5-TG-E报价。型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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3SK263-5-TG-E | FMTuner,VHFTuner,High-FrequencyAmplifierApplications 文件:492.44 Kbytes Page:6 Pages | SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社 | ||
3SK263-5-TG-E | N-ChannnelDualGateMOSFET 文件:718.8 Kbytes Page:4 Pages | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ||
3SK263-5-TG-E | 封装/外壳:TO-253-4,TO-253AA 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:FET RF 15V 200MHZ CP4 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 |
3SK263-5-TG-E产品属性
- 类型
描述
- 型号
3SK263-5-TG-E
- 功能描述
射频JFET晶体管 NCH DUAL GATE MOS FET
- RoHS
否
- 制造商
NXP Semiconductors
- 配置
Single
- 晶体管极性
N-Channel 正向跨导
- gFS(最大值/最小值)
电阻汲极/源极
- RDS(导通)
漏源电压
- VDS
40 V
- 闸/源截止电压
5 V
- 闸/源击穿电压
40 V
- 最大漏极/栅极电压
40 V 漏极电流(Vgs=0 时的
- Idss)
25 mA to 75 mA
- 功率耗散
250 mW
- 最大工作温度
+ 150 C
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
SOT-23
- 封装
Reel
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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SANYO |
22+23+ |
CP-4 |
8000 |
新到现货,只做原装进口 |
|||
ONSEMI/安森美 |
24+ |
SOT143 |
60000 |
||||
onsemi |
25+ |
TO-253-4 TO-253AA |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
ON/安森美 |
22+ |
SOT143 |
30000 |
十七年VIP会员,诚信经营,一手货源,原装正品可零售! |
|||
SANYO/三洋 |
2223+ |
SOT-143 |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
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SANYO |
17+ |
SOT143 |
6200 |
100%原装正品现货 |
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SANYO |
24+ |
SOT143 |
9700 |
绝对原装正品现货假一罚十 |
|||
SANYO |
18+ |
SOT-143 |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
|||
SANYO/三洋 |
24+ |
SOT-143 |
3000 |
原装正品 |
|||
SANYO |
23+ |
SOT143 |
999999 |
原装正品现货量大可订货 |
3SK263-5-TG-E规格书下载地址
3SK263-5-TG-E参数引脚图相关
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