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3N40K3

Power MOSFET

FEATURES • Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current • Compliant to RoHS directive 2002/95/EC

VBSEMI

微碧半导体

Power MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

Gate charge minimized

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-channel 400 V, 3 廓, 1.8 A SOT-223 SuperMESH3 Power MOSFET

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

更新时间:2025-10-9 20:00:00
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