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3N180-E3

3.0A, 1800V N-CHANNEL POWER MOSFET

 DESCRIPTION The UTC 3N180-E3 provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications.  FEATURES0 * RDS(ON) ≤ 10.3 Ω @ VGS=10V, ID=1.5A * Low Reverse Transfer Capacitance * Fast Switching C

UTC

友顺

3N180-E3

Planar Power MOSFET (N-CH)

UTC

友顺

3N180-E3产品属性

  • 类型

    描述

  • VGS(±V):

    ±30

  • ID(A)(Range):

    3

  • RDS(ON)MAX.(mΩ)atVGS=10V(Range):

    10300

  • CISSTYP.(pF):

    1025

  • COSSTYP.(pF):

    84

  • CRSSTYP.(pF):

    11

  • QgTYP.(nC):

    33

  • QgsTYP.(nC):

    8.6

  • QgdTYP.(nC):

    22

  • VGS(th)(V)MIN.(Range):

    3

  • VGS(th)(V)MAX.(Range):

    5

  • TrrTYP.(nS):

    996

  • QrrTYP.(nC):

    8060

  • Package:

    TO-220_TO-220F1_TO-263_TO-263

更新时间:2026-7-29 18:22:00
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