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3EZ110	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONSILICONZENERDIODES(VOLTAGE-11to200VoltsPower-3.0Watts) FEATURES •Lowprofilepackage •Built-instrainrelief •Glasspassivatediunction •Lowinductance •TypicalIDlessthan1.0µAabove11V •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O •Hightemperaturesoldering:260°C/10secondsatterminals •Pbfre	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司
3EZ110	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONSILICONZENERDIODE VOLTAGE-11TO200VoltsPower-3.0Watts FEATURES ●Lowprofilepackage ●Built-instrainrelief ●Glasspassivatedjunction ●Lowinductance ●Excellentclampingcapability ●TypicalIDlessthan1Aabove11V ●Hightemperaturesoldering:260°C/10secondsatterminals ●Plasticpack	TRSYS Transys Electronics
3EZ110	Silicon-Power-Z-Diodes(non-planartechnology) Silicon-Power-ZenerDiodes(non-planartechnology) •Maximumpowerdissipation3W •NominalZ-voltage1...200V •PlasticcaseDO-15 •Weightapprox.0.4g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0	DiotecDIOTEC 德欧泰克
3EZ110	Zenersilicondiodes MaximumPower Dissipation:3W NominalZ-voltage:1to200V	SemikronSemikron 赛米控
3EZ110	RECTIFIERSPECIALISTS VOLTAGERANGE-6.2to200VoltsCURRENT-3.0Watts FEATURES VoltageRange:6.2Vto200V Build-instrainrelief Glasspassivatedjunction Lowinductance Excellentclampingcapability Lowprofilepackage	DCCOMDc Components 直流元件直流元件有限公司
3EZ110	Silicon-Power-ZenerDiodes(non-planartechnology) 文件：84.42 Kbytes Page：2 Pages	DiotecDIOTEC 德欧泰克
3EZ110	Silicon-Power-ZenerDiodes 文件：83.95 Kbytes Page：2 Pages	DiotecDIOTEC 德欧泰克
3EZ110	ZENERDIODE 文件：218 Kbytes Page：4 Pages	IRI IRI
3EZ110D10	SILICONZENERDIODES VZ:3.9-400Volts PD:3Watts FEATURES: CompleteVoltageRange3.9to400Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent *Pb/RoHSFree	EIC EIC
3EZ110D5	3WSILICONZENERDIODE FEATURES: ZenervoltageRange3.9to200V Highsurgecurrentrating *3Wattsdissipationinanormally1wattpackage	JGDJinan Gude Electronic Device 济南固锝电子济南固锝电子器件有限公司
3EZ110D5	SILICONZENERDIODES VZ:3.9-400Volts PD:3Watts FEATURES: CompleteVoltageRange3.9to400Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent MECHANICALDATA Case:DO-41Moldedplastic Epoxy:UL94V-Orateflameretardant *Lead:AxialleadsolderableperMI	SYNSEMI SynSemi，Inc.
3EZ110D5	Ref/RegDiode,P(D)=1W	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
3EZ110D5	SILICONZENERDIODES VZ:3.9-200Volts PD:3Watts FEATURES: CompleteVoltageRange3.9to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent Pb/RoHSFree MECHANICALDATA Case:DO-41Moldedplastic Epoxy:UL94V-0rateflameretardant Lead:Axiallead	EIC EIC
3EZ110D5	SILICON3WATTZENERDIODES DESCRIPTION The3EZ3.9D5thru3EZ200D5seriesofaxial-leaded3.0wattZenersprovidesvoltageregulationselectionswith5tolerancesfrom3.9to200voltsinaDO-41plasticpackagesize.OtherZenervoltagetolerancesarealsoavailablebychangingthesuffixnumbertothetolerancedesiredsu	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
3EZ110D5	3WattsAxialLeadedZenerDiodes Features ●CompleteVoltageRange3.9to400Volts ●Highpeakreversepowerdissipation ●Highreliability ●Lowleakagecurrent	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司
3EZ110D5	CompleteVoltageRange3.9to200Volts VZ:3.9-200Volts PD:3Watts Features CompleteVoltageRange3.9to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent *Pb/RoHSFree	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司
3EZ110D5	LowZenerImpedanceundersmallcurrent ■Features ●LowZenerImpedanceundersmallcurrent ●HighReliability ●SolderResistance250℃/10S，0.375”（9.5mm）fromthebody	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司
3EZ110D5	3WattsSurfaceMountZenerDiode FEATURES •GlassPassivatedChip •LowLeakage •Built-inStrainRelief •LowInductance •HighPeakReversePowerDissipation •ForUseinStabilizingandClippingCircuitswithHighPowerRating	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH
3EZ110D5	3.0WSILICONZENERDIODE ZENERDIODES	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司
3EZ110D5-C	3WattsSurfaceMountZenerDiode FEATURES •GlassPassivatedChip •LowLeakage •Built-inStrainRelief •LowInductance •HighPeakReversePowerDissipation •ForUseinStabilizingandClippingCircuitswithHighPowerRating	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH
3EZ110D5	AXIALLEADEDSILICONZENERDIODES 文件：350.897 Kbytes Page：3 Pages	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行
3EZ110D5	3W110VTAIWANSUNMATESEMICONDUCTORCO.,LIMITED 文件：349.595 Kbytes Page：3 Pages	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行
3EZ110D/TR8	封装/外壳：DO-204AL，DO-41，轴向包装：卷带（TR）描述：DIODE ZENER 110V 3W DO204AL 分立半导体产品二极管 - 齐纳 - 单	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
3EZ110D10	SILICONZENERDIODES 文件：158.77 Kbytes Page：3 Pages	EIC EIC
3EZ110D10/TR12	封装/外壳：DO-204AL，DO-41，轴向包装：卷带（TR）描述：DIODE ZENER 110V 3W DO204AL 分立半导体产品二极管 - 齐纳 - 单	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
3EZ110D5	AxialLeadZenerDiodes 文件：251.71 Kbytes Page：3 Pages	ANOVA Anova Technologies CO., LTD.
3EZ110D5	3WattsSurfaceMountZenerDiode 文件：738.07 Kbytes Page：4 Pages	SECELECTRONICS SEC Electronics Inc.
3EZ110D5	SILICONZENERDIODES 文件：184.03 Kbytes Page：3 Pages	EIC EIC

3EZ110产品属性

类型
描述
型号
3EZ110
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
3.0W, VZ = 110V, ? 20% - Tape and Reel
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
DIODE ZENER 3W 110V 20% DO-41

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更新时间：2024-4-18 18:52:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	3EZ110D5-E3/73	VISHAY	20+	DO-15	36800	原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价
深圳市汇莱威科技有限公司	3EZ110D5		SUNMATE	DO-41	608900	原包原标签100%进口原装常备现货!	询价
深圳市特顺芯科技有限公司	3EZ110D5	EIC	98		2400		询价
深圳市惊羽科技有限公司	3EZ110D10	EIC	24+25+/26+27+	DO-41	78800	一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库	询价
深圳市福田区吉富昌电子商行	3EZ110D5	SUNMATE(森美特)	2019+ROHS	DO-41	66688	森美特高品质产品原装正品免费送样	询价
瀚佳科技(深圳)有限公司	3EZ110D5	EIC	2020+	DO-41	16800	绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!?	询价
深圳市百视威讯电子科技有限公司	3EZ110D5		23+	N/A	30650	正品授权货源可靠	询价
深圳市创新迹电子有限公司	3EZ110D5	JX	23+	DO-15	7600	专注配单,只做原装进口现货	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	3EZ110D5	JX	23+	DO-15	7600	专注配单,只做原装进口现货	询价
深圳市维尔达电子有限公司	3EZ110D5	JX	2023+	DO-15	80000	一级代理/分销渠道价格优势十年芯程一路只做原装正品	询价