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位置：首页 > IC中文资料第656页 > 3EZ100D5

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
3EZ100D5

3WSILICONZENERDIODE

FEATURES: *ZenervoltageRange3.9to200V *Highsurgecurrentrating *3Wattsdissipationinanormally1wattpackage

JGDJinan Gude Electronic Device

济南固锝电子济南固锝电子器件有限公司

JGD
3EZ100D5

SILICONZENERDIODES

VZ:3.9-400Volts PD:3Watts FEATURES: *CompleteVoltageRange3.9to400Volts *Highpeakreversepowerdissipation *Highreliability *Lowleakagecurrent MECHANICALDATA *Case:DO-41Moldedplastic *Epoxy:UL94V-Orateflameretardant *Lead:AxialleadsolderableperMI

SYNSEMI

SynSemi，Inc.

SYNSEMI
3EZ100D5

Ref/RegDiode,P(D)=1W

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
3EZ100D5

SILICONZENERDIODES

VZ:3.9-200Volts PD:3Watts FEATURES: *CompleteVoltageRange3.9to200Volts *Highpeakreversepowerdissipation *Highreliability *Lowleakagecurrent *Pb/RoHSFree MECHANICALDATA *Case:DO-41Moldedplastic *Epoxy:UL94V-0rateflameretardant *Lead:Axiallead

EIC

EIC

EIC
3EZ100D5

SILICON3WATTZENERDIODES

DESCRIPTION The3EZ3.9D5thru3EZ200D5seriesofaxial-leaded3.0wattZenersprovidesvoltageregulationselectionswith5tolerancesfrom3.9to200voltsinaDO-41plasticpackagesize.OtherZenervoltagetolerancesarealsoavailablebychangingthesuffixnumbertothetolerancedesiredsu

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi
3EZ100D5

CompleteVoltageRange3.9to200Volts

VZ:3.9-200Volts PD:3Watts Features *CompleteVoltageRange3.9to200Volts *Highpeakreversepowerdissipation *Highreliability *Lowleakagecurrent *Pb/RoHSFree

LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd

鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司

LUGUANG
3EZ100D5

3WattsAxialLeadedZenerDiodes

Features ●CompleteVoltageRange3.9to400Volts ●Highpeakreversepowerdissipation ●Highreliability ●Lowleakagecurrent

SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD

森美特森美特半导体股份有限公司

SUNMATE
3EZ100D5

3WattsAxialLeadedZenerDiodes

Features ●CompleteVoltageRange3.9to400Volts ●Highpeakreversepowerdissipation ●Highreliability ●Lowleakagecurrent

SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD

森美特森美特半导体股份有限公司

SUNMATE
3EZ100D5

LowZenerImpedanceundersmallcurrent

■Features ●LowZenerImpedanceundersmallcurrent ●HighReliability ●SolderResistance250℃/10S，0.375”（9.5mm）fromthebody

YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd

扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司

YANGJIE
3EZ100D5

3WattsSurfaceMountZenerDiode

FEATURES •GlassPassivatedChip •LowLeakage •Built-inStrainRelief •LowInductance •HighPeakReversePowerDissipation •ForUseinStabilizingandClippingCircuitswithHighPowerRating

SECOS

SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

SECOS
3EZ100D5

3.0WSILICONZENERDIODE

ZENERDIODES

ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd

淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司

ZSELEC
3EZ100D5

3W100VTAIWANSUNMATESEMICONDUCTORCO.,LIMITED

文件：349.595 Kbytes Page：3 Pages

SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD

森美特森美特半导体股份有限公司

PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行

SUNMATE
3EZ100D5

AXIALLEADEDSILICONZENERDIODES

文件：350.897 Kbytes Page：3 Pages

SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD

森美特森美特半导体股份有限公司

PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行

SUNMATE
3EZ100D5

SILICONZENERDIODES

文件：184.03 Kbytes Page：3 Pages

EIC

EIC

EIC
3EZ100D5

3WattsSurfaceMountZenerDiode

文件：738.07 Kbytes Page：4 Pages

SECELECTRONICS

SEC Electronics Inc.

SECELECTRONICS
3EZ100D5

AxialLeadZenerDiodes

文件：251.71 Kbytes Page：3 Pages

ANOVAAnova Technologies CO., LTD.

林朋科技

ANOVA
3EZ100D5-C

3WattsSurfaceMountZenerDiode

FEATURES •GlassPassivatedChip •LowLeakage •Built-inStrainRelief •LowInductance •HighPeakReversePowerDissipation •ForUseinStabilizingandClippingCircuitswithHighPowerRating

SECOS

SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

SECOS
3EZ100D5/TR8

封装/外壳：DO-204AL，DO-41，轴向 包装：卷带（TR） 描述：DIODE ZENER 100V 3W DO204AL 分立半导体产品 二极管 - 齐纳 - 单

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi
3EZ100D5_14

SILICONZENERDIODES

文件：184.03 Kbytes Page：3 Pages

EIC

EIC

EIC
3EZ100D5E3/TR12

封装/外壳：DO-204AL，DO-41，轴向 包装：卷带（TR） 描述：DIODE ZENER 100V 3W DO204AL 分立半导体产品 二极管 - 齐纳 - 单

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi

3EZ100D5产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    3EZ100D5

  • 制造商

    Motorola

  • 功能描述

    MOTOROLA S7E7B

3EZ100D5供应商更多...

更新时间：2024-6-3 12:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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3EZ100D5
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