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3DF10E晶体管资料

  • 3DF10E别名:3DF10E三极管、3DF10E晶体管、3DF10E晶体三极管

  • 3DF10E生产厂家:中国大陆半导体企业

  • 3DF10E制作材料:Si-NPN

  • 3DF10E性质:低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 3DF10E封装形式:直插封装

  • 3DF10E极限工作电压:350V

  • 3DF10E最大电流允许值:10A

  • 3DF10E最大工作频率:<1MHZ或未知

  • 3DF10E引脚数:2

  • 3DF10E最大耗散功率:100W

  • 3DF10E放大倍数

  • 3DF10E图片代号:E-44

  • 3DF10Evtest:350

  • 3DF10Ehtest:999900

  • 3DF10Eatest:10

  • 3DF10Ewtest:100

  • 3DF10E代换 3DF10E用什么型号代替

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

丝印代码:1P0;300 mA CMOS Low Drop-Out Regulator with inrush current protection circuit

The TCR3DF series are CMOS general-purpose single-output voltage regulators with an on/off control input, featuring low dropout voltage, low output noise voltage and low inrush current. These voltage regulators are available in fixed output voltages between 1.0 V and 4.5 V and capable of driving

TOSHIBA

东芝

更新时间:2026-7-29 18:07:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
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