3DD602E晶体管资料
3DD602E别名：3DD602E三极管、3DD602E晶体管、3DD602E晶体三极管
3DD602E生产厂家：中国大陆半导体企业
3DD602E制作材料：Si-NPN
3DD602E性质：低频或音频放大 （LF）_功率放大 （L）_电源用 （Re
3DD602E封装形式：直插封装
3DD602E极限工作电压：250V
3DD602E最大电流允许值：7.5A
3DD602E最大工作频率：<1MHZ或未知
3DD602E引脚数：2
3DD602E最大耗散功率：75W
3DD602E放大倍数：
3DD602E图片代号：E-44
3DD602Evtest：250
3DD602Ehtest：999900
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3DD602Ewtest：75
3DD602E代换 3DD602E用什么型号代替：
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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Silicon NPN Power Transistor FEATURES ·Large current capacitance ·High speed switching ·Low saturation voltage DESCRIPTION ·Switching Regulator ·Driver Circuit | ISC 无锡固电 |   | ||
Silicon NPN Power Transistor FEATURES ·Large current capacitance ·High speed switching ·Low saturation voltage DESCRIPTION ·Switching Regulator ·Driver Circuit | ISC 无锡固电 | |
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