3DD12B-T晶体管资料

  • 3DD12B-T别名:3DD12B-T三极管、3DD12B-T晶体管、3DD12B-T晶体三极管

  • 3DD12B-T生产厂家:中国大陆半导体企业

  • 3DD12B-T制作材料:Si-NPN

  • 3DD12B-T性质:低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 3DD12B-T封装形式:特殊封装

  • 3DD12B-T极限工作电压:100V

  • 3DD12B-T最大电流允许值:50A

  • 3DD12B-T最大工作频率:<1MHZ或未知

  • 3DD12B-T引脚数:3

  • 3DD12B-T最大耗散功率:500W

  • 3DD12B-T放大倍数

  • 3DD12B-T图片代号:F-23

  • 3DD12B-Tvtest:100

  • 3DD12B-Thtest:999900

  • 3DD12B-Tatest:50

  • 3DD12B-Twtest:500

  • 3DD12B-T代换 3DD12B-T用什么型号代替

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 600V(Min) · Collector Current-Continuous -IC=16A APPLICATIONS · Switching Regulators · Converters · Power Amplifiers

ISC

无锡固电

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 600V(Min) · Collector Current-Continuous -IC=25A APPLICATIONS · Switching Regulators · Converters · Power Amplifiers

ISC

无锡固电

Buck Boost Evaluation Kit

文件:1.33373 Mbytes Page:19 Pages

Cree

科锐

更新时间:2026-1-2 23:01:02
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