3DD11I-T晶体管资料

  • 3DD11I-T别名:3DD11I-T三极管、3DD11I-T晶体管、3DD11I-T晶体三极管

  • 3DD11I-T生产厂家:中国大陆半导体企业

  • 3DD11I-T制作材料:Si-NPN

  • 3DD11I-T性质:低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 3DD11I-T封装形式:直插封装

  • 3DD11I-T极限工作电压:600V

  • 3DD11I-T最大电流允许值:15A

  • 3DD11I-T最大工作频率:<1MHZ或未知

  • 3DD11I-T引脚数:2

  • 3DD11I-T最大耗散功率:300W

  • 3DD11I-T放大倍数

  • 3DD11I-T图片代号:E-63

  • 3DD11I-Tvtest:600

  • 3DD11I-Thtest:999900

  • 3DD11I-Tatest:15

  • 3DD11I-Twtest:300

  • 3DD11I-T代换 3DD11I-T用什么型号代替

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·DCCurrentGain :hFE=15~180@IC=15A ·Collector-EmitterSustainingVoltage :VCEO(SUS)=250V(Min) ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforuseingeneralpurposepoweramplifierand switchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

iscSiliconNPNPowerTransistor

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ISC
更新时间:2024-4-20 11:30:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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