3DD11C-T晶体管资料

  • 3DD11C-T别名:3DD11C-T三极管、3DD11C-T晶体管、3DD11C-T晶体三极管

  • 3DD11C-T生产厂家:中国大陆半导体企业

  • 3DD11C-T制作材料:Si-NPN

  • 3DD11C-T性质:低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 3DD11C-T封装形式:直插封装

  • 3DD11C-T极限工作电压:150V

  • 3DD11C-T最大电流允许值:30A

  • 3DD11C-T最大工作频率:<1MHZ或未知

  • 3DD11C-T引脚数:2

  • 3DD11C-T最大耗散功率:300W

  • 3DD11C-T放大倍数

  • 3DD11C-T图片代号:E-63

  • 3DD11C-Tvtest:150

  • 3DD11C-Thtest:999900

  • 3DD11C-Tatest:30

  • 3DD11C-Twtest:300

  • 3DD11C-T代换 3DD11C-T用什么型号代替

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·DCCurrentGain :hFE=15~180@IC=15A ·Collector-EmitterSustainingVoltage :VCEO(SUS)=250V(Min) ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforuseingeneralpurposepoweramplifierand switchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

iscSiliconNPNPowerTransistor

文件:264.09 Kbytes Page:2 Pages

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ISC
更新时间:2024-4-26 16:30:02
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