3DD102E晶体管资料
3DD102E别名:3DD102E三极管、3DD102E晶体管、3DD102E晶体三极管
3DD102E生产厂家:中国大陆半导体企业
3DD102E制作材料:Si-NPN
3DD102E性质:行输出 (HA)_场输出 (VA)
3DD102E封装形式:直插封装
3DD102E极限工作电压:350V
3DD102E最大电流允许值:2A
3DD102E最大工作频率:<1MHZ或未知
3DD102E引脚数:2
3DD102E最大耗散功率:50W
3DD102E放大倍数:
3DD102E图片代号:E-44
3DD102Evtest:350
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3DD102Ewtest:50
3DD102E代换 3DD102E用什么型号代替:
型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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iscSiliconNPNPowerTransistor 文件:186.74 Kbytes Page:2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | |||
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iscSiliconNPNPowerTransistor 文件:202.55 Kbytes Page:2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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