3DD102E晶体管资料
3DD102E别名：3DD102E三极管、3DD102E晶体管、3DD102E晶体三极管
3DD102E生产厂家：中国大陆半导体企业
3DD102E制作材料：Si-NPN
3DD102E性质：行输出 （HA）_场输出 （VA）
3DD102E封装形式：直插封装
3DD102E极限工作电压：350V
3DD102E最大电流允许值：2A
3DD102E最大工作频率：<1MHZ或未知
3DD102E引脚数：2
3DD102E最大耗散功率：50W
3DD102E放大倍数：
3DD102E图片代号：E-44
3DD102Evtest：350
3DD102Ehtest：999900
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3DD102Ewtest：50
3DD102E代换 3DD102E用什么型号代替：
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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isc Silicon NPN Power Transistor 文件：186.74 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 |   | ||
isc Silicon NPN Power Transistor 文件：254.42 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
isc Silicon NPN Power Transistor 文件：202.55 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | |
更新时间：2026-7-29 22:30:02
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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