3DA7晶体管资料
3DA7别名：3DA7三极管、3DA7晶体管、3DA7晶体三极管
3DA7生产厂家：中国大陆半导体企业
3DA7制作材料：Si-NPN
3DA7性质：射频/高频放大 （HF）_功率放大 （L）
3DA7封装形式：直插封装
3DA7极限工作电压：40V
3DA7最大电流允许值：7.5A
3DA7最大工作频率：>5MHZ
3DA7引脚数：2
3DA7最大耗散功率：75W
3DA7放大倍数：
3DA7图片代号：E-44
3DA7vtest：40
3DA7htest：5000100
- 3DA7atest：7.5
3DA7wtest：75
3DA7代换 3DA7用什么型号代替：
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
Silicon NPN Power Transistor FEATURES · Low VCE(sat) · Small and slim package · Fast switching speed APPLICATIONS ·Power dissipation | ISC 无锡固电 |   | ||
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isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·High DC Current Gain- : hFE= 15(Max) @IC= 0.3A ·Excellent Safe Operating Area ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Designed for use as an output device in complementary audio amplifiers | ISC 无锡固电 | | ||
isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·High DC Current Gain : hFE= 10(MAX)@IC= 1.5A ·Excellent Safe Operating Area ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Designed for use as an output device in complementary audio amplifiers | ISC 无锡固电 | | ||
TO-251-3L Plastic-Encapsulate Transistors 文件：348.59 Kbytes Page：2 Pages | JIANGSU 长电科技 | | ||
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晶体管 | JSCJ 长晶科技 | | ||
isc Silicon NPN Power Transistor 文件：335.12 Kbytes Page：3 Pages | ISC 无锡固电 | |
3DA7产品属性
- 类型
描述
- PCM(W)：
1.2
- IC(A)：
2
- VCBO(V)：
40
- VCEO(V)：
30
- VEBO(V)：
5
- hFEMin：
100
- hFEMax：
400
- hFE@VCE(V)：
2
- hFE@IC(A)：
0.5
- VCE(sat)(V)：
2
- VCE(sat)\u001E@IC(A)：
1.5
- VCE(sat)\u001E@IB(A)：
0.3
- Package：
TO-252-2L
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
CHINA |
23+ |
F-1 |
5000 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
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- 3g汽车
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优势渠道
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