型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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Fourth-generationIGBTCurrentResonanceInverterSwitchingApplications DiscreteIGBTs(PDF:875KB)03/2011: http://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=7429 *GT30G124 -BreakdownVoltageVCES(V)@Ta=25C:430V -IGBTCurrentRatingIC(A)@Ta=25C:200A *GT30J124 -BreakdownVoltageVCES(V)@Ta=25C:600V -IGBTCurrentRatingIC( | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝 | |||
BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝 |
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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TOSHIBA/东芝 |
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TO-3PF |
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TOS |
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TOSHIBA/东芝 |
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2023-1-3035V220UF 体积8x12mm 优质直插高频低阻铝电解电容 220微法35伏
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端子TEConnectivity/AMP3-520124-2深圳市佳杰伟业科技有限公司大量现货销售
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