型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■ 30V, 5.5A, RDS(ON) = 42mΩ @VGS = 10V. RDS(ON) = 59mΩ @VGS = 4.5V. ■ High dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ Rugged and reliable. ■ Lead free product is acquired. ■ TSOP-6 package.

CET

华瑞

General-Purpose Switching Device

Features • ON-resistance RDS(on)1=54mΩ(typ.) • 1.8V drive • Halogen free compliance

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋电机株式会社

N-Channel 30V (D-S) MOSFET

文件:135.53 Kbytes Page:2 Pages

AnalogPower

N-Channel 30V (D-S) MOSFET

文件:211.08 Kbytes Page:3 Pages

AnalogPower

30V N-Channel MOSFET

文件:366.55 Kbytes Page:5 Pages

AOSMD

万国半导体

3456LLBP产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    3456LLBP

  • 制造商

    CEC Industries

  • 功能描述

    S8 WEDGE, 28.54W, 2.23A LONG LIFE

更新时间:2025-8-9 23:01:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON(安森美)
24+
NA/
8735
原厂直销,现货供应,账期支持!
VB
25+
SOT23
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27000
原装现货假一赔十
ON
23+
CPH-3
42300
原装正品现货
ON/安森美
2022+
SOT-23
30000
进口原装现货供应,原装 假一罚十
ON/安森美
21+
SMD
30000
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税

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