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丝印代码:30N10F7;N-channel 100 V, 0.02 廓 typ., 32 A STripFET??F7 Power MOSFET in a TO-220 package

Description This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET™ F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low onstate resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching. Features  Among the lowest RDS(o

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意法半导体

丝印代码:30N10F7;N-channel 100 V, 0.02 廓 typ., 32 A STripFET??F7 Power MOSFET in a DPAK package

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意法半导体

丝印代码:DPAK;isc N-Channel MOSFET Transistor

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无锡固电

isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

Ultra low on-resistance

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意法半导体

更新时间:2026-7-29 23:01:01
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