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30N06VL-TM3-T

N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

DESCRIPTION The UTC 30N06V-Q is a low voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and excellent avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at automotive applications in power supplies,

UTC

友顺

更新时间:2026-7-29 18:45:00
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