| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
30H10K/J | 功率MOS系列 | FM 富满 |   | |
N-Channel Trench Power MOSFET 文件：687.49 Kbytes Page：6 Pages | FUMAN 富满微 | | ||
Dual Common-Cathode High-Voltage Schottky Rectifier Dual Common-Cathode High-Voltage Schottky Rectifier High Barrier Technology for Improved High Temperature Performance FEATURES • Guardring for overvoltage protection • Lower power losses, high efficiency • Low forward voltage drop • Low leakage current • High forward surge capability • Hig | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
3 0 0 - 3 7 5 WAT T L I N E A R 文件：167.99 Kbytes Page：1 Pages | POWERBOX | | ||
NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：352.01 Kbytes Page：8 Pages | NCEPOWER 新洁能 | | ||
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：960.21 Kbytes Page：7 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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