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2STD1665T4价格
参考价格：￥1.9740
型号：2STD1665T4 品牌：STMicroelectronics 备注：这里有2STD1665T4多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，2STD1665T4批发/采购报价，2STD1665T4行情走势销售排行榜，2STD1665T4报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
2STD1665T4 | Low voltage fast-switching NPN power transistor Description The device is manufactured in NPN Planar Technology by using a “Base Island” layout. The resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage. Features ■ Very low collector to emitter saturation volatage ■ High current gain chara | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | |
2STD1665T4 | Low voltage fast-switching NPN power transistor 文件：220.25 Kbytes Page：11 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
2STD1665T4 | 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS NPN 65V 6A DPAK 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |
2STD1665T4产品属性
- 类型
描述
- 型号
2STD1665T4
- 功能描述
两极晶体管 - BJT Lo Vltg fast switch pnp Pwr transistor
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
PNP 集电极—基极电压
- VCBO
集电极—发射极最大电压
- VCEO
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
- 6 V
- 增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe
- Min
100 A
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
PowerFLAT 2 x 2
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
2450+ |
DPAK |
9850 |
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ST |
23+ |
TO252 |
16900 |
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ST/意法 |
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DPAK |
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ST(意法) |
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ST/意法 |
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DPAK-3 |
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ST |
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原厂原装,价格优势 |
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ST |
2025+ |
TO-252-3 |
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2STD1665T4规格书下载地址
2STD1665T4参数引脚图相关
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优势渠道
2023-2-162V7002LT1G中文产品资料功能描述
2V7002LT1G中文产品资料
2022-6-62SX1-T
2SX1-T，全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取. QQ：1755232575 /QQ：1157611585，微信号:87680558.
2021-2-102W08 全新原装现货
2W08，全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取.
2020-11-272SK508G-K51-AE3-R
属性 参数值 商品目录 结型场效应晶体管（JFET） 连续漏极电流（Id）（25°C 时） 50mA 漏源电压（Vdss） 15V 类型 N 沟道 最大功率耗散（Ta=25°C） 200mW
2020-11-122SK3591-01R
2SK3591-01R，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-3-28
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