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2ST5949_0807

High power NPN epitaxial planar bipolar transistor

Description The device is a NPN transistor manufactured using new BiT-LA (Bipolar transistor for linear amplifier) technology. The resulting transistor shows good gain linearity behaviour. Features ■ High breakdown voltage VCEO = 250 V ■ Complementary to 2ST2121 ■ Fast-switching speed ■ Typi

STMICROELECTRONICS

意法半导体

2ST5949_0807产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2ST5949_0807

  • 制造商

    STMICROELECTRONICS

  • 制造商全称

    STMicroelectronics

  • 功能描述

    High power NPN epitaxial planar bipolar transistor

更新时间:2026-8-3 17:11:00
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