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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MCHANNELJUNCTIONTYPE(AUDIOFREQUENCYLOWNOISEAMPLIFIERAPPLICATIONS) AudioFrequencyLowNoiseAmplifierApplications •High|Yfs|:|Yfs|=15mS(typ.)atVDS=10V,VGS=0 •Highbreakdownvoltage:VGDS=−50V •Lownoise: NF=1.0dB(typ.) atVDS=10V,ID=0.5mA,f=1kHz,RG=1kΩ •Highinputimpedance:IGSS=−1nA(max)atVGS=−30V • | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝 |  |   | |
AudioFrequencyLowNoiseAmplifierApplications AudioFrequencyLowNoiseAmplifierApplications •High|Yfs|:|Yfs|=15mS(typ.)atVDS=10V,VGS=0 •Highbreakdownvoltage:VGDS=−50V •Lownoise: NF=1.0dB(typ.) atVDS=10V,ID=0.5mA,f=1kHz,RG=1kΩ •Highinputimpedance:IGSS=−1nA(max)atVGS=−30V • | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝 | | | |
SiliconNChannelJunctionTypeAudioFrequencyLowNoiseAmplifierApplications 文件：584.52 Kbytes Page：4 Pages | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝 | | | |
AudioFrequencyLowNoiseAmplifierApplications AudioFrequencyLowNoiseAmplifierApplications •High|Yfs|:|Yfs|=15mS(typ.)atVDS=10V,VGS=0 •Highbreakdownvoltage:VGDS=−50V •Lownoise: NF=1.0dB(typ.) atVDS=10V,ID=0.5mA,f=1kHz,RG=1kΩ •Highinputimpedance:IGSS=−1nA(max)atVGS=−30V • | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝 | | |
2SK880Y产品属性
- 类型
描述
- 型号
2SK880Y
- 功能描述
TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 1.2MA I(DSS) | SC-70
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
23+ |
SOT-323 |
54258 |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
|||
TOSHIBA(东芝) |
23+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
|||
TOSHIBA |
23+ |
SOT23-3 |
20000 |
原厂原装正品现货 |
|||
TOSHIBA/东芝 |
2048+ |
SOT-323 |
9852 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
|||
TOSHIBA/东芝 |
23+ |
SOT-323 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
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TOSHIBA/东芝 |
23+ |
SOT-323 |
2101 |
水星电子只做原装,支持一站式BOM配单。 |
|||
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
SOT-323 |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
TOSHIBA/东芝 |
22+ |
SOT-323 |
12680 |
||||
TOSHIBA |
23+ |
SOT-323 |
31000 |
全新原装现货 |
|||
TOSHIBA |
23+ |
SOT323 |
9526 |
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2SMPP-02
优势渠道
2023-2-162V7002LT1G中文产品资料功能描述
2V7002LT1G中文产品资料
2022-6-62SX1-T
2SX1-T，全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取.QQ：1755232575/QQ：1157611585，微信号:87680558.
2021-2-102SK508G-K51-AE3-R
属性参数值 商品目录结型场效应晶体管（JFET） 连续漏极电流（Id）（25°C时）50mA 漏源电压（Vdss）15V 类型N沟道 最大功率耗散（Ta=25°C）200mW
2020-11-122SK3313
2SK3313，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-3-282SK3591-01R
2SK3591-01R，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-3-28
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