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2SK512

SILICON C-CHANNEL MOSFET HIGH SPEED POWER SWITCHING

[Hitachi] SILICON N-CHANNEL MOS FET HGIH SPEED POWER SWITCHING FEATURES ● Low On-Resistance. (RON = 0.55Ω) ● High Speed Switching ● High Voltage (VDSS = 500V) ● No Secondary Breakdown ● Suitable for Switching Regulator, DC-DC Converters, and Motor Control.

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etc未分类制造商未分类制造商

2SK512

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 12A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.65Ω(Max) @ VGS= 15V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-

ISC

无锡固电

2SK512产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SK512

  • 功能描述

    SILICON C-CHANNEL MOSFET HIGH SPEED POWER SWITCHING

更新时间:2025-8-13 9:48:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
23+
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全新原装正品现货,支持订货
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