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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
2SK4126 | N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device General-Purpose Switching Device Applications Features • Low ON-resistance, low input capacitance, ultrahigh-speed switching. • Adoption of high reliability HVP process. • Avalanche resistance guarantee. | SANYO 三洋 |   | |
2SK4126 | General-Purpose Switching Device Applications 文件：72.28 Kbytes Page：5 Pages | SANYO 三洋 | | |
2SK4126 | isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：317.15 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | |
2SK4126 | Power MOSFET 650 V, 15 A, 720 mOhm Single N-Channel TO-3PB | ONSEMI 安森美半导体 | | |
General-Purpose Switching Device Applications 文件：72.28 Kbytes Page：5 Pages | SANYO 三洋 | |
2SK4126产品属性
- 类型
描述
- 型号
2SK4126
- 功能描述
MOSFET POWER MOSFET
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
日立 |
24+ |
TO-3P |
6430 |
原装现货/欢迎来电咨询 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
TO-220F |
60000 |
全新原装现货 |
|||
ON Semiconductor |
22+ |
TO3P3 SC653 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
SANYO |
23+ |
TO-3PB |
51 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
RENESAS/HITACHI |
23+ |
TO-3P |
15280 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
|||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
|||||
RENESAS |
13+ |
TO220F |
800 |
原装 |
|||
HITACHI/日立 |
2447 |
TO-3P |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO-220F |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
24+ |
60000 |
2SK4126规格书下载地址
2SK4126参数引脚图相关
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- 5000
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- 4899
- 485接口
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- 3g汽车
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- 2SK4070
2SK4126数据表相关新闻
2SMPP-02
优势渠道
2023-2-162SK3105-T1B-A找代理商上深圳百域芯科技
2SK3105-T1B-A找代理商上深圳百域芯科技 芯片详细信息 Source Content uid: 2SK3484-Z-E1-AZ Manufacturer Part Number: 2SK3484-Z-E1-AZ Brand_Name: Renesas Rohs Code: Yes Part Life Cycle Code: Not Recommended Ihs Manufacturer: RENESAS ELECTRONICS CORP Part Package
2021-6-242SX1-T
2SX1-T，全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取. QQ：1755232575 /QQ：1157611585，微信号:87680558.
2021-2-102SK508G-K51-AE3-R
属性 参数值 商品目录 结型场效应晶体管（JFET） 连续漏极电流（Id）（25°C 时） 50mA 漏源电压（Vdss） 15V 类型 N 沟道 最大功率耗散（Ta=25°C） 200mW
2020-11-122SK3313
2SK3313，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-3-282SK3591-01R
2SK3591-01R，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-3-28
DdatasheetPDF页码索引
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