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TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOSVI)

Switching Regulator Applications • Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.23 Ω (typ.) • High forward transfer admittance: |Yfs| = 8.2 S (typ.) • Low leakage current: IDSS = 100 μA (VDS = 500 V) • Enhancement model: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

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东芝

Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

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东芝

isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

Silicon N-Channel MOS Type Switching Regulator Applications

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TOSHIBA

东芝

Switching Regulator Applications

文件:285.07 Kbytes Page:6 Pages

TOSHIBA

东芝

2SK3934(STA4产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SK3934(STA4

  • 制造商

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述

    MOSFET

更新时间:2026-1-5 15:04:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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    2SX1-T,全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取. QQ:1755232575 /QQ:1157611585,微信号:87680558.

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