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2SK3667

Silicon N Channel MOS Type Switching Regulator Applications

• Low drain-source ON resistance: RDS (ON)= 0.74Ω(typ.) • High forward transfer admittance: |Yfs| = S (typ.) • Low leakage current: IDSS= 100 μA (VDS= 600 V) • Enhancement-mode: Vth= 2.0~4.0 V (VDS= 10 V, ID= 1 mA)

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2SK3667

Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

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2SK3667

Power MOSFET (N-ch 500V VDSS 700V)

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2SK3667

Switching Regulator Applications

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Silicon N Channel MOS Type Switching Regulator Applications

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Switching Regulator Applications

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2SK3667产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SK3667

  • 功能描述

    MOSFET N-Ch 600V 7.5A Rdson 1 Ohm

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-19 19:42:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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    2SX1-T,全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取. QQ:1755232575 /QQ:1157611585,微信号:87680558.

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