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芯片资料

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型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
2SK3667	Silicon N Channel MOS Type Switching Regulator Applications • Low drain-source ON resistance: RDS (ON)= 0.74Ω(typ.) • High forward transfer admittance: \|Yfs\| = S (typ.) • Low leakage current: IDSS= 100 μA (VDS= 600 V) • Enhancement-mode: Vth= 2.0~4.0 V (VDS= 10 V, ID= 1 mA)	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK3667	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK3667	Power MOSFET (N-ch 500V VDSS 700V) Polarity：N-ch\nGeneration：π-MOSⅥ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：马来西亚 Drain current ID 7.5 A \nPower Dissipation PD 45 W \nDrain-Source voltage VDSS 600 V ;	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK3667	Switching Regulator Applications 文件：205.83 Kbytes Page：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK3667_06	Silicon N Channel MOS Type Switching Regulator Applications 文件：222.65 Kbytes Page：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK3667_10	Switching Regulator Applications 文件：205.83 Kbytes Page：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

类型
描述
Product Category：
Power MOSFET (N-ch 500V＜VDSS≦700V)
Package name(Toshiba)：
TO-220SIS
Recommended Product 1：
TK1K0A60F(Almost same package but similar characteristics)

2SK3667供应商更多...

更新时间：2026-5-25 8:58:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市豪迈兴电子有限公司	2SK3667	TOSHIBA	24+	TO-220(SIS)	4326	公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存!	询价
深圳市宇创芯科技有限公司	2SK3667(MURATA	TOSHIBA/东芝	24+	TO-220	9600	原装现货,优势供应,支持实单!	询价
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深圳市弘为电子有限公司	2SK3667(MURATA	TOS	24+	TO-220	138	原装现货假一罚十	询价
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2SMPP-02
优势渠道
2023-2-16
2SK3105-T1B-A找代理商上深圳百域芯科技
2SK3105-T1B-A找代理商上深圳百域芯科技芯片详细信息 Source Content uid: 2SK3484-Z-E1-AZ Manufacturer Part Number: 2SK3484-Z-E1-AZ Brand_Name: Renesas Rohs Code: Yes Part Life Cycle Code: Not Recommended Ihs Manufacturer: RENESAS ELECTRONICS CORP Part Package
2021-6-24
2SX1-T
2SX1-T，全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取. QQ：1755232575 /QQ：1157611585，微信号:87680558.
2021-2-10
2SK508G-K51-AE3-R
属性参数值商品目录结型场效应晶体管（JFET）连续漏极电流（Id）（25°C 时） 50mA 漏源电压（Vdss） 15V 类型 N 沟道最大功率耗散（Ta=25°C） 200mW
2020-11-12
2SK3313
2SK3313，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-3-28
2SK3591-01R
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2020-3-28