型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

Silicon N Channel MOS Type Switching Regulator Applications

• Low drain-source ON resistance: RDS (ON)= 0.74Ω(typ.) • High forward transfer admittance: |Yfs| = S (typ.) • Low leakage current: IDSS= 100 μA (VDS= 600 V) • Enhancement-mode: Vth= 2.0~4.0 V (VDS= 10 V, ID= 1 mA)

TOSHIBA

东芝

Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBA

东芝

Switching Regulator Applications

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TOSHIBA

东芝

2SK3667(Q,M)产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SK3667(Q,M)

  • 功能描述

    MOSFET MOSFET N-Ch, 600V, 7.5A

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-19 14:39:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA(东芝)
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