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型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
2SK3233	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance: RDS(on)= 1.1 Ωtyp. • Low leakage current: IDSS = 1 µA max (at VDS = 500 V) • High speed switching: tf = 15 ns typ (at VGS = 10 V, VDD = 250 V, ID = 2.5 A) • Low gate charge: Qg = 15 nC typ (at VDD = 400 V, VGS = 10 V, ID = 5 A) • Avalanche ratings	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SK3233	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance: RDS (on) = 1.1 Ω typ. • Low leakage current: IDSS = 1 µA max (at VDS = 500 V) • High speed switching: tf = 15 ns typ (at VGS = 10 V, VDD = 250 V, ID = 2.5 A) • Low gate charge: Qg = 15 nC typ (at VDD = 400 V, VGS = 10 V, ID = 5 A) • Avalanche ratings	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK3233	N-Channel 650 V (D-S) Power MOSFET 文件：1.15513 Mbytes Page：11 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
2SK3233	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：323.13 Kbytes Page：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK3233-E	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance: RDS (on) = 1.1 Ω typ. • Low leakage current: IDSS = 1 µA max (at VDS = 500 V) • High speed switching: tf = 15 ns typ (at VGS = 10 V, VDD = 250 V, ID = 2.5 A) • Low gate charge: Qg = 15 nC typ (at VDD = 400 V, VGS = 10 V, ID = 5 A) • Avalanche ratings	RENESAS 瑞萨	RENESAS

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更新时间：2025-11-18 23:00:02

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市得捷芯城科技有限公司	2SK3233	RENESAS/瑞萨	24+	NA/	3720	原装现货,当天可交货,原型号开票	询价
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2SK303L-SOT113SR-V4-TG_UTC代理商
2SK303L-SOT113SR-V4-TG_UTC代理商
2023-2-27
2SK3105-T1B-A找代理商上深圳百域芯科技
2SK3105-T1B-A找代理商上深圳百域芯科技芯片详细信息 Source Content uid: 2SK3484-Z-E1-AZ Manufacturer Part Number: 2SK3484-Z-E1-AZ Brand_Name: Renesas Rohs Code: Yes Part Life Cycle Code: Not Recommended Ihs Manufacturer: RENESAS ELECTRONICS CORP Part Package
2021-6-24
2SK3105-T1B-A找代理商上深圳百域芯科技
2SK3105-T1B-A找代理商上深圳百域芯科技芯片详细信息 Source Content uid: 2SK3105-T1B-A Manufacturer Part Number: 2SK3105-T1B-A Brand_Name: Renesas Pbfree Code: Yes Rohs Code: Yes Part Life Cycle Code: Obsolete Ihs Manufacturer: RENESAS ELECTRONICS CORP P
2021-6-24
2SK508G-K51-AE3-R
属性参数值商品目录结型场效应晶体管（JFET）连续漏极电流（Id）（25°C 时） 50mA 漏源电压（Vdss） 15V 类型 N 沟道最大功率耗散（Ta=25°C） 200mW
2020-11-12
2SK3313
2SK3313，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-3-28
2SK3591-01R
2SK3591-01R，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-3-28