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SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE

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NECRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

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MOSFieldEffectPowerTransistor

MOSFieldEffectPowerTransistor Features Lowon-resistance RDS(on)=0.65(VGS=10V,ID=2A) LowCissCiss=300pFtyp Built-inG-SGateProtectionDiode HighAvalancheCapabilityRatings

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK1954isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhigh voltageswitchingapplications. FEATURES •LowOn-stateResistance RDS(on)=0.65ΩMAX.(VGS=10V,ID=2.0A) •LowCiss:Ciss=300pFTYP. •Built-inG-SGatePro

RENESASRenesas Electronics America

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iscN-ChannelMOSFETTransistor

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ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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iscN-ChannelMOSFETTransistor

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更新时间:2024-6-22 9:05:01
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