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Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS(on) = 0.050Ω typ. • Low drive current. • 4V gate drive devices. • High speed switching.

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

Silicon P Channel MOS FET

Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.050 Ω typ. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching.

RENESAS

瑞萨

Silicon P Channel MOS FET

Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.050 Ω typ. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching.

RENESAS

瑞萨

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS(on) = 0.050Ω typ. • Low drive current. • 4V gate drive devices. • High speed switching.

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

Silicon P Channel MOS FET

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RENESAS

瑞萨

2SJ551-L(E)产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SJ551-L(E)

  • 制造商

    Renesas Electronics

  • 功能描述

    Cut Tape

  • 制造商

    Renesas

  • 功能描述

    Trans MOSFET P-CH 60V 18A 3-Pin(3+Tab) DPAK(L) Box

更新时间:2025-10-12 16:01:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS
24+
TO-263
5000
全新原装正品,现货销售
RENESAS
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
HITACHI/日立
24+
TO-262
500204
免费送样原盒原包现货一手渠道联系
RENESAS
24+
TO-263
16900
原装正品现货支持实单
HITACHI
1922+
SOT-263
35689
原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货
HIT
24+
TO-251
20000
RENESAS
20+
TO-263
36900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
RENESAS
03+
TO-263
950
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
RENESAS
2023+
TO-263
8800
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
HITACHI/日立
17+
262
31518
原装正品 可含税交易

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