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Silicon P Channel MOS FET

Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.042 Ω typ. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching.

RENESAS

瑞萨

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS(on) = 0.042Ω typ. • Low drive current. • 4V gate drive devices. • High speed switching.

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

Silicon P Channel MOS FET

Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.042 Ω typ. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching.

RENESAS

瑞萨

2SJ543(E)产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SJ543(E)

  • 制造商

    Renesas Electronics

  • 功能描述

    Cut Tape

更新时间:2025-11-21 12:00:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS
2511
TO220
5625
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价
RENESAS
20+
TO-220
36900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
Sanyo
25+23+
Sot-23
34361
绝对原装正品全新进口深圳现货
24+
N/A
56000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
RENESAS/瑞萨
20+
TO-220
32500
现货很近!原厂很远!只做原装
RENESAS/瑞萨
23+
TO-220
50000
全新原装正品现货,支持订货
HITACHI/日立
25+
TO-220
9800
全新原装现货,假一赔十
HIT
24+
TO-220AB
20000
R
25+
TOTO-220
12300
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
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4000
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718

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