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Silicon P-Channel MOS FET

Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • 2.5 V gate drive device can be driven from 3 V source Application High speed power switching

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

更新时间:2026-1-4 18:03:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
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