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isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

DESCRIPTION ·High DC Current Gain : hFE = 1000(Min)@ IC= 1.5A ·Collector-Emitter Breakdown Voltage : V(BR)CEO = 120V(Min) ·Low Collector-Emitter Saturation Voltage: VCE(sat) = 1.5V(Max)@ IC= 1.5A ·Complement to Type 2SB765 APPLICATIONS ·Medium speed and power switching appl

ISC

无锡固电

更新时间:2025-11-20 18:55:02
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