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SiNPNTripleDiffusedPlanar

SiNPNTripleDiffusedPlanar PowerAmplifier ComplementaryPairwith2SB761,2SB761A Features ●HighhFEandgoodlinearity ●LowVCE(sat)

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未分类制造商

ETC

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=60V(Min) ·GoodLinearityofhFE ·WideAreaofSafeOperation ·ComplementtoType2SB761 APPLICATIONS ·DesignedforAFpoweramplifierapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

SiNPNTripleDiffusedPlanar

SiNPNTripleDiffusedPlanar PowerAmplifier ComplementaryPairwith2SB761,2SB761A Features ●HighhFEandgoodlinearity ●LowVCE(sat)

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ETC
更新时间:2024-6-3 16:13:01
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23+
NA/
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PANASONIC/松下
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