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iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=80V(Min) ·HighPowerDissipation ·ComplementtoType2SB690 APPLICATIONS ·Designedforlowfrequencypoweramplifierapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
更新时间:2024-6-1 20:00:01
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