2SD669(A)晶体管资料
2SD669(A)别名：2SD669(A)三极管、2SD669(A)晶体管、2SD669(A)晶体三极管
2SD669(A)生产厂家：日本日立公司
2SD669(A)制作材料：Si-NPN
2SD669(A)性质：低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_视频输出 （Vi
2SD669(A)封装形式：直插封装
2SD669(A)极限工作电压：180V
2SD669(A)最大电流允许值：1.5A
2SD669(A)最大工作频率：140MHZ
2SD669(A)引脚数：3
2SD669(A)最大耗散功率：20W
2SD669(A)放大倍数：
2SD669(A)图片代号：B-21
2SD669(A)vtest：180
2SD669(A)htest：140000000
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2SD669(A)wtest：20
2SD669(A)代换 2SD669(A)用什么型号代替：2SC3117,
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency power amplifier complementary pair with 2SB649/A(PNP) | HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司 |   | ||
NPN Epitaxial Planar Transistors NPN Epitaxial Planar Transistors P/b Lead(Pb)-Free | WEITRON | | ||
BIPOLAR POWER GENERAL PURPOSE TRANSISTOR NPN SILICON TRANSISTOR APPLICATIONS * Low frequency power amplifier complementary pair with UTC 2SB649/A | UTC 友顺 | | ||
Plastic-Encapsulated Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES Power dissipation PCM: 1 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: 1.5 A Collector-base voltage V(BR)CBO: 180 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ | TEL | | ||
Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-126 package ·Complement to type 2SB649/649A(PNP) ·High breakdown voltage VCEO:120/160V ·High current 1.5A ·Low saturation voltage,excellent hFElinearity APPLICATIONS ·For low-frequency power amplifier applications | SAVANTIC | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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日力/UTC |
24+ |
NA/ |
10000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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百域芯优势 实单必成 可开13点增值税发票 |
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