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PLANAR TYPE SILICON TRANSISTOR FOR AF POWER AMPLIFIER USE

Planar Rtpe Silicon Transistor For AF POWER Amplifier Use

SANYO

三洋

NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

DESCRIPTION The UTC 2SD313 is designed for use in general purpose amplifier and switching applications.

UTC

友顺

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION ·With TO-220C package ·Complement to type 2SB507 ·Low collector saturation voltage APPLICATIONS ·Designed for the output stage of 15W to 25W AF power amplifier

ISC

无锡固电

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR(LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER)

LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER Complement to 2SB507

WINGS

永盛电子

Plastic-Encapsulate Transistors

TRANSISTOR (NPN) FEATURES Power dissipation PCM: 1.75 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: 3 A Collector-base voltage V(BR)CBO: 60 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃

TEL

2SD313F产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SD313F

  • 功能描述

    TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220AB

更新时间:2025-12-25 16:08:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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