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2SD2611

PowerTransistor

Features 1)Lowsaturationvoltage,typicallyVCE(sat)=0.3VatIC/IB=4/0.4A. 2)ExcellentDCcurrentgaincharacteristics. 3)PC=300W(TC=25°C) 4)WideSOA(safeoperatingarea). 5)Complementsthe2SB1672.

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
更新时间:2024-6-14 19:03:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ROHM
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