2SD2142晶体管资料
2SD2142K别名：2SD2142K三极管、2SD2142K晶体管、2SD2142K晶体三极管
2SD2142K生产厂家：
2SD2142K制作材料：Si-N+Darl
2SD2142K性质：表面帖装型 （SMD）_通用型 （Uni）
2SD2142K封装形式：贴片封装
2SD2142K极限工作电压：40V
2SD2142K最大电流允许值：0.3A
2SD2142K最大工作频率：200MHZ
2SD2142K引脚数：3
2SD2142K最大耗散功率：
2SD2142K放大倍数：β>5000
2SD2142K图片代号：H-15
2SD2142Kvtest：40
2SD2142Khtest：200000000
- 2SD2142Katest：0.3
2SD2142Kwtest：0
2SD2142K代换 2SD2142K用什么型号代替：BCV27,BCV47,2SD1383K,2SD1478A,
2SD2142价格
参考价格：￥0.6985
型号：2SD2142KT146 品牌：ROHM 备注：这里有2SD2142多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，2SD2142批发/采购报价，2SD2142行情走势销售排行榜，2SD2142报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
2SD2142 | NPN Plastic Plastic-Encapsulate Transistor FEATURE • Darlington connection for a high hFE. • High input impedance. | SECOS 喜可士 |   | |
2SD2142 | TRANSISOR (NPN) FEATURES ● Darlington Connection for a High hFE ● High Input Impedance | HTSEMI 金誉半导体 | | |
2SD2142 | 丝印代码：R1M；SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Darlington Connection for a High hFE High Input Impedance | DGNJDZ 南晶电子 | | |
2SD2142 | Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ● Darlington connection for a high Hfe ● High input impedance APPLICATIONS ● General purpose amplifiers. | BILIN 银河微电 | | |
2SD2142 | Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● Darlington Connection for a High hFE ● High Input Impedance | JIANGSU 长电科技 | | |
2SD2142 | NPN Plastic-Encapsulate Transistor 文件：335.04 Kbytes Page：2 Pages | SECOS 喜可士 | | |
2SD2142 | 丝印代码：R1M；Silicon Epitaxial Planar Transistor 文件：1.07017 Mbytes Page：2 Pages | LUGUANG 鲁光电子 | | |
2SD2142 | 双极型晶体管 | LUGUANG 鲁光电子 | | |
2SD2142 | NPN-40V | JGSEMI 金锆半导体 | | |
2SD2142 | 双极型晶体管 | GALAXY 银河微电 | | |
丝印代码：5K*；High-gain Amplifier Transistor (30V, 0.3A) Features 1) Darlington connection for a high hFE. (DC current gain=5000(Min.)at VCE=3V, IC=10mA) 2) High input impedance. Application High gain amplifier | ROHM 罗姆 | | ||
Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package Descriptions Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package. Features Darlington connection for a high hFE, high input impedance. Applications High-gain amplifier transistor. | FOSHAN 蓝箭电子 | | ||
High-gain Amplifier Transistor (30V, 0.3A) Features 1) Darlington connection for a high hFE. (DC current gain=5000(Min.)at VCE=3V, IC=10mA) 2) High input impedance. Application High gain amplifier | ROHM 罗姆 | | ||
High-gain Amplifier Transistor (30V, 0.3A) Features 1) Darlington connection for a high hFE. (DC current gain=5000(Min.)at VCE=3V, IC=10mA) 2) High input impedance. Application High gain amplifier | ROHM 罗姆 | | ||
NPN Plastic-Encapsulate Transistor 文件：335.04 Kbytes Page：2 Pages | SECOS 喜可士 | | ||
NPN Plastic-Encapsulate Transistor 文件：335.04 Kbytes Page：2 Pages | SECOS 喜可士 | | ||
丝印代码：T146；High-gain Amplifier Transistor (32V, 0.3A) 文件：48.3 Kbytes Page：2 Pages | ROHM 罗姆 | | ||
丝印代码：T146；High-gain Amplifier Transistor (30V, 0.3A) 文件：82.72 Kbytes Page：3 Pages | ROHM 罗姆 | | ||
High-gain Amplifier Transistor (30V, 0.3A) 文件：82.72 Kbytes Page：3 Pages | ROHM 罗姆 | | ||
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS NPN DARL 30V 0.3A SMT3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | ROHM 罗姆 | |
2SD2142产品属性
- 类型
描述
- PCM(mW)：
200
- IC(mA)：
300
- VCBO(V)：
40
- VCEO(V)：
32
- VEBO(V)：
12
- hFEMin：
5000
- VCE(sat)(V)：
1.4
- Package：
SOT-23
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM/罗姆 |
23+ |
SOT-23 |
100586 |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
|||
ROHM/罗姆 |
25+ |
SOT-23 |
20300 |
ROHM/罗姆原装特价2SD2142KT146即刻询购立享优惠#长期有货 |
|||
ROHM |
24+/25+ |
64594 |
原装正品现货库存价优 |
||||
ROHM |
26+ |
SOT-23 |
11092 |
代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
|||
ROHM/罗姆 |
25+ |
SOT23 |
20000 |
原装 |
|||
ROHM |
21+ |
SMT3;SOT-346 |
100 |
只做原装鄙视假货15118075546 |
|||
ROHM |
19+ |
SOT-23 |
20000 |
2890 |
|||
ROHM/罗姆 |
2450+ |
SOT-23 |
8850 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
Rohm(罗姆) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
|||
ROHM |
25+23+ |
SOT-23 |
27778 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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2019-2-15
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