2SD2118(F5)晶体管资料

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  • 2SD2118(F5)制作材料:Si-NPN

  • 2SD2118(F5)性质:低频或音频放大 (LF)

  • 2SD2118(F5)封装形式:直插封装

  • 2SD2118(F5)极限工作电压:50V

  • 2SD2118(F5)最大电流允许值:5A

  • 2SD2118(F5)最大工作频率:150MHZ

  • 2SD2118(F5)引脚数:3

  • 2SD2118(F5)最大耗散功率:1W

  • 2SD2118(F5)放大倍数

  • 2SD2118(F5)图片代号:A-80

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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

NPN Silicon General Purpose Transistor

FEATURES Low VCE(sat). VCE(sat)= 0.25V(Typ.) (IC/IB= 4A / 0.1A) Excellent DC Current Gain Characteristics

SECOS

喜可士

Low VCE(sat) Transistor

Features Low VCE(sat). Excellent DC current gain characteristics. NPN silicon transistor.

KEXIN

科信电子

Low VCE(sat) transistor (strobe flash)

文件:185.03 Kbytes Page:4 Pages

ROHM

罗姆

Low VCE(sat) transistor (strobe flash)

文件:109.28 Kbytes Page:5 Pages

ROHM

罗姆

Plastic-Encapsulated Transistors

文件:106.88 Kbytes Page:2 Pages

TEL

更新时间:2025-10-31 17:10:02
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