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2SD2018晶体管资料

  • 2SD2018别名：2SD2018三极管、2SD2018晶体管、2SD2018晶体三极管

  • 2SD2018生产厂家：日本松下公司

  • 2SD2018制作材料：Si-N+Darl+Di

  • 2SD2018性质：INT.Z_DIODE

  • 2SD2018封装形式：直插封装

  • 2SD2018极限工作电压：60V

  • 2SD2018最大电流允许值：1A

  • 2SD2018最大工作频率：150MHZ

  • 2SD2018引脚数：3

  • 2SD2018最大耗散功率：5W

  • 2SD2018放大倍数：β>6500

  • 2SD2018图片代号：B-21

  • 2SD2018vtest：60

  • 2SD2018htest：150000000

  • 2SD2018atest：1

  • 2SD2018wtest：5

  • 2SD2018代换 2SD2018用什么型号代替：2SC3705,2SD1630,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SD2018

Silicon NPN epitaxial planar type darlington

Silicon NPN epitaxial planar type darlington For low-frequency amplification ■ Features • High forward current transfer ratio hFE • Built-in 60 V Zener diode between base to collector

PANASONIC

松下

2SD2018

封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3 包装：散装 描述：TRANS NPN DARL 60V 1A TO126B-A1 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

PANASONIC

松下

2SD2018产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SD2018

  • 功能描述

    TRANS NPN LF 60VCEO 1A TO-126

  • RoHS

    否

  • 类别

    分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1

  • 系列

    -

  • 晶体管类型

    NPN 电流 -

  • 集电极(Ic)（最大）

    1A 电压 -

  • 集电极发射极击穿（最大）

    30V

  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）

    200mV @ 100mA，1A 电流 -

  • 集电极截止（最大）

    100nA 在某 Ic、Vce

  • 时的最小直流电流增益(hFE)

    300 @ 500mA，5V 功率 -

  • 最大

    710mW 频率 -

  • 转换

    100MHz

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供应商设备封装

    SOT-23-3（TO-236）

  • 包装

    Digi-Reel®

  • 其它名称

    MMBT489LT1GOSDKR

2SD2018供应商更多...

更新时间：2026-3-2 13:31:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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2SD2018
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